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　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络安(ān)全审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存(cún)储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年命运多桀和命运多舛的区别怎么读，命运多桀和命运多舛的区别是什么(nián)收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告命运多桀和命运多舛的区别怎么读，命运多桀和命运多舛的区别是什么(gào)显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应(命运多桀和命运多舛的区别怎么读，命运多桀和命运多舛的区别是什么yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存(cún)储产业(yè)链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多(duō)设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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