大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链比玉皇大帝还大的是谁，比玉皇大帝还厉害的是谁造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设(s比玉皇大帝还大的是谁，比玉皇大帝还厉害的是谁hè)施供应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安(ān)全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

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