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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求(qi敷面膜20分钟后如果没干还敷吗，敷面膜20分钟后如果没干还敷吗ú)，欢迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护(hù)国家(jiā)安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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