大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关(guān)键信息(xī)基础设(shè1分米等于多少米，1分米等于多少米厘米)施供应链造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不(bù)予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客(kè)户转而采购国(guó)外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能1分米等于多少米，1分米等于多少米厘米会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 1分米等于多少米，1分米等于多少米厘米