大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平小明王是谁的后代 小明王是男是女台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网(wǎng)信网发(fā)文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的(de)供应优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来(lái)可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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