大家好，来看(kàn)一则(zé)突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前(qián)，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次(cì)对(duì)美光公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际(jì却的部首叫什么名称拼音，卩是什么偏旁怎么念)存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜却的部首叫什么名称拼音，卩是什么偏旁怎么念成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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