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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络(luò)安(ān)全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢(低头看我是怎么玩你的，低头看我是怎么弄你的huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品(pǐn)服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK低头看我是怎么玩你的，低头看我是怎么弄你的 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商(shāng)为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波(bō)龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购(gòu)金(jīn)额(é)占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本低头看我是怎么玩你的，低头看我是怎么弄你的(běn)开(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国产化(huà)进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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