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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美(měi)光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，201兆欧等于多少千欧，1兆欧等于多少欧姆单位换算21 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在(zài)存(cún)储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与(yǔ)国(guó)内国(guó)产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提(tí)升，以及(jí)存(cún)储业务占比较(jiào)高(gāo)的(de)华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（1兆欧等于多少千欧，1兆欧等于多少欧姆单位换算清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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