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　　美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公(gō加州时间现在几点钟，加州时间与北京时间差ng)司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全加州时间现在几点钟，加州时间与北京时间差审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造(zào)成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三(sān)大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加(jiā)入美国(guó)限制名(mín加州时间现在几点钟，加州时间与北京时间差g)单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入(rù)增长。

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