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电动牙刷如何自w到高c,将电动牙刷放在小洞里作文

电动牙刷如何自w到高c,将电动牙刷放在小洞里作文 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发(fā)消息。

  美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审查

  据网信办消息,日前,网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进行了(le)网络(luò)安全审查。

  审查发(fā)现,美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患,对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn),影(yǐng)响我国(guó)国家安(ān)全。为此,网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī),我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)的(de)运营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

  此次对美光公司产品(pǐ电动牙刷如何自w到高c,将电动牙刷放在小洞里作文n)进行网络安全审查,目的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全,是维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

  半导体(tǐ)突(tū)发!中国出(chū)手:停(tíng)止采购!

  3月(yuè)31日(rì),中国网(wǎng)信网发文称,为(wèi)保障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全,防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险,维护国(guó)家安全,依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安全(quán)法》,网络安全(quán)审查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办法(fǎ)》,对美(měi)光公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停(tíng)止采购!

  美(měi)光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头,也是(shì)全(quán)球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)巨头之(zhī)一,2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57%降至2022年约11%。根据市(shì)场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM (内(nèi)存)市(shì)场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上(shàng)市公(gōng)司(sī)中,江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应商。

  美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降,至少已经(jīng)不(bù)是主要大(dà)供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商,采(cǎi)购约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。电动牙刷如何自w到高c,将电动牙刷放在小洞里作文2022年年(nián)报显示,江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合(hé)约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩固公司在下游市场的供应优势,公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

  有券商此前(qián)就分(fēn)析,如(rú)果(guǒ)美光在中国(guó)区(qū)销售(shòu)受到限制,或将(jiāng)导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士(shì),国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

  分析(xī)称(chēng),长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量(liàng)的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤,同(tóng)时刻蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽,催生更多设备需求。据东京电子披露,薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75%。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单,设备国(guó)产化进程加(jiā)速(sù),看好(hǎo)拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司份(fèn)额提升,以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清洗)等(děng)收入(rù)增长。

 

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