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蘑菇头比较大做起来,女不怕粗短就怕蘑菇头

蘑菇头比较大做起来,女不怕粗短就怕蘑菇头 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突发消(xiāo)息(xī)。

  美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

  据网(wǎng)信办消息,日前(qián),网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

  审(shěn)查发现(xiàn),美光公(gōng)司(sī)产品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问(wèn)题隐患,对我国(guó)关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全(quán)风险(xiǎn),影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ),网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安(ān)全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规,我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产品。

  此次对美光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全审查,目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施安全,是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放,只(zhǐ)要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求,欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

  半(bàn)导体突(tū)发!中(zhōng)国出手:停止采购(gòu)!

  3月31日,中国网信网发文(wén)称,为(wèi)保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全,防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险,维(wéi)护(hù)国家安全(quán),依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法(fǎ)蘑菇头比较大做起来,女不怕粗短就怕蘑菇头》,网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络(luò)安全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》,对美光公司(sī)(Micron)在华销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

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  美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu),也是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī),2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上蘑菇头比较大做起来,女不怕粗短就怕蘑菇头市(shì)公司中(zhōng),江(jiāng)波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

  美(měi)光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降,至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商,采(cǎi)购约31亿元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大(dà)供(gōng)应商采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示,江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约,确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定(dìng)性,巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势,公(gōng)司(sī)也与国(guó)内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

  有(yǒu)券商此(cǐ)前就(jiù)分析,如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到限制,或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì),国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

  分析称(chēng),长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最(zuì)关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积(jī)工(gōng)艺(yì)步骤(zhòu),同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60:1的(de)深孔,未(wèi)来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo),催生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披露,薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自(zì)长江存储被加(jiā)入(rù)美国限(xiàn)制名单,设备国产化进程加速(sù),看好拓荆(jīng)科技(薄膜沉积(jī))等相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额提升,以及(jí)存储业务占比较高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗(xǐ))等收入(rù)增(zēng)长。

 

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