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　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)团费收缴标准是多少钱，团费收缴标准是多少钱一个月公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰5团费收缴标准是多少钱，团费收缴标准是多少钱一个月7％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司(sī)在(zài)下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加(jiā)速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存(cún)储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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