大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，顶到底是一种怎顶到底是一种怎样的体验，顶到宫颈是顶到底什么感觉样的体验，顶到宫颈是顶到底什么感觉网络安(ān)全(quán)审查办公室依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国(guó)际(jì)存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键、最(zuì)大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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