大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(m96的因数有哪些数，72的因数有哪些ěi)光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造(zào)成重大(dà)安(ān)全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露过美光(guāng)等(děng)国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示，江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期(qī)合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下游市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或96的因数有哪些数，72的因数有哪些(huò)从中受益。存储(chǔ)器的(de)生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 96的因数有哪些数，72的因数有哪些