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　　无时无刻是什么意思 无时无刻不在，无时不刻是什么意思ng>美光公司在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全(quán)问(wèn)题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运营者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产品网络(luò)安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM 无时无刻是什么意思 无时无刻不在，无时不刻是什么意思（内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产(chǎn)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美(měi)光(guāng)在中国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长。

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