大(dà)家(jiā)好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网络安全(quán)审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平(píng)台(tái)产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全(quá不负年华的意思是什么呢，不负春光不负年华的意思n)审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售(shòu)的(de)产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头(不负年华的意思是什么呢，不负春光不负年华的意思tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二(èr)大(dà)和第(dì)三大(dà)供应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下(xià)游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据(jù)等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公(gōng)司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在中国(guó)区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

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