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pp7塑料杯能不能装开水 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突发消息。

  美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通(tōng)过(guò)网络(luò)安全(quán)审查pp7塑料杯能不能装开水ng>

  据(jù)网信(xìn)办消息,日前,网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

  审查发(fā)现,美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患,对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险,影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此,网络安全审查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī),我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

  此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安(ān)全审查,目的是防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)安全,是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放,只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求,欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停止(zhǐ)采购!

  3月(yuè)31日(rì),中国网信网(wǎng)发文称,为保(bǎo)障关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)安全,防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险,维护国(guó)家安(ān)全,依(yī)据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》,网(wǎng)络安全审查办公室(pp7塑料杯能不能装开水shì)按(àn)照《网络安全审查办法》,对美光(guāng)公司(sī)(Micron)在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

  半导(dǎo)体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购(gòu)!

  美光是美国的(de)存储芯片行业龙头,也是全球存储芯片(piàn)巨头之一,2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57%降至2022年约(yuē)11%。根据(jù)市场咨(zī)询(xún)机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM (内存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市(shì)公司中,江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

  美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经显著下(xià)降,至(zhì)少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

  公告显示(shì), 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶(jīng)圆供(gōng)应商,采购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē),确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性,巩固公司在下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供(gōng)应优势,公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作。

  有(yǒu)券商此前(qián)就分析,如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制,或将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士,国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤(zhòu),同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60:1的深孔(kǒng),未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽,催生更(gèng)多设(shè)备pp7塑料杯能不能装开水(bèi)需求。据东京电子披露,薄(báo)膜沉积(jī)设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75%。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单,设备国产化进程加速,看好拓(tuò)荆科(kē)技(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收入增(zēng)长(zhǎng)。

 

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