大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品未(wèi)通过(guò)网络(luò)安全审查丽水在哪里哪个省份哪个市，浙江丽水在哪里rong>

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问题(tí)危害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类(lèi)平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防范(fàn)产(chǎn)品问题(tí)隐(yǐn)患造丽水在哪里哪个省份哪个市，浙江丽水在哪里成网络安全风(fēng)险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二(èr)大(dà)和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要(yào)经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。