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1兆等于多少mb流量，1G等于多少MB 半导体突发！中国出手：停止采购！

　　大(dà)家(jiā)好，来看一(yī)则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　半导体(tǐ)突发！中国(guó)出(chū)手：停止采购！

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审查。

　　半导(dǎo)体突发！中国出手：停止采购！

　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收(s1兆等于多少mb流量，1G等于多少MBhōu)入来自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

1兆等于多少mb流量，1G等于多少MB>　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东(1兆等于多少mb流量，1G等于多少MBdōng)京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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