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cos180°是多少,cos180度等于多少 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突发消息。

  美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

  审查(chá)发现,美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患,对(duì)我国关键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险,影响我国国家安全。为此,网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规,我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

  此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安全审(shěn)查,目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问(wèn)题(tí)危害国(guó)家关(guān)键信息基础设施安全,是维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放,只要遵守中国法律法(fǎ)规要求,欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各cos180°是多少,cos180度等于多少类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市(shì)场。

  半导(dǎo)体突发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月31日,中国(guó)网(wǎng)信网发(fā)文称,为保障关(guān)键信息基础设施供应链安(ān)全,防范产品问题(tí)隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险,维护国家安全,依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》,网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华(huá)销售的产品实施网络安全(quán)审查。

  半导体(tǐ)突(tū)发!中国出手:停止采购!

  美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头,也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一,2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57%降至(zhì)2022年(nián)约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场(chǎng)份额(é)约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市(shì)公(gōng)司中(zhōng),江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过(guò)美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供(gōng)应商(shāng)。

  美光在江波龙采购占比已经显著下降,至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大(dà)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应商,采购约31亿元,占(zhàn)比(bǐ)33.52%;2022年,江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签cos180°是多少,cos180度等于多少署了长期合约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势,公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

  有券商此前就分(fēn)析,如果美光在(zài)中国(guó)区(qū)销售受到限制,或将导致下(xià)游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

  分析称(chēng),长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60:1的(de)深孔,未来(lái)可(kě)能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽,催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露(lù),薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75%。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单,设(shè)备国(guó)产化进程加速(sù),看好拓(tuò)荆科技(薄膜(mó)沉积)等相关公司份额提升,以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的(de)华海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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