大(dà)家(jiā)好(hǎo)，来看(kàn)一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司(sī一什么颗粒填量词二年级，一什么颗粒填量词？)在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美(měi)光公司在(zài)华销售(shòu)产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)危害国家关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是(一什么颗粒填量词二年级，一什么颗粒填量词？shì)主(zhǔ)要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiān一什么颗粒填量词二年级，一什么颗粒填量词？g)关公司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务(wù)占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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