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　　美光公司(sī)在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)未通(tōng)过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造(zào)成(chéng)重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查(chá)，目(mù)的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)危害(hài)国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基础设施安(ān)全(quán)，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎各国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平(píng)台所想皆所愿,所愿皆所得的意思是什么，所想皆所愿,所愿皆所得的意思英文产品服务进(jìn)入(rù)中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国(guó)的(de)存(cún)储芯(xīn)片行业(yè)龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司(sī)所想皆所愿,所愿皆所得的意思是什么，所想皆所愿,所愿皆所得的意思英文披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公(gōng)司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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