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挂号信几天能到,一般什么情况会用挂号信 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安全审查

  据网信办消息,日前,网络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

  审查发(fā)现,美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患,对我国关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险,影响我国国(guó)家安全。为此,网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规,我(wǒ)国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施的(de)运营(yíng)者应停止采购美光公(gōng)司产品。

  此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行(xíng)网络(luò挂号信几天能到,一般什么情况会用挂号信)安全审查,目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国(guó)家关(guān)键信息基础设施安(ān)全,是(shì)维护国家安全(quán)的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水平(píng)对外开放,只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求,欢迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入中国市场(chǎng)。

  半导体(tǐ)突发(fā)!中国出手:停止采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信网发文称,为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全,防(fáng)范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险,维护国(guó)家(jiā)安全,依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》,网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》,对(duì)美光公司(Micron)在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品实施(shī)网络安全(quán)审(shěn)查。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年(nián)收入来(lái)自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57%降至2022年约(yuē)11%。根据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM (内存(cún))市场份额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

  美光(guāng)在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著下降,至少已经不是主要大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng),采购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示,江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约,确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng),巩固公(gōng)司(挂号信几天能到,一般什么情况会用挂号信sī)在下(xià)游市场的供应优(yōu)势,公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

  有(yǒu)券商此前(qián)就分析,如(rú)果美(měi)光在(zài)中国区销售受到(dào)限制(zhì),或将导(dǎo)致(zhì)下(xià)游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì),国内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤,同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60:1的深孔,未来可能(néng)会更深的(de)孔或(huò)者(zhě)沟槽,催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露,薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计(jì)为75%。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单,设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速,看好拓(tuò)荆科技(薄(báo)膜沉积(jī))等相关(guān)公司份(fèn)额提(tí)升,以及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清(qīng)科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收入增长(zhǎng)。

 

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