大家好，来看(kàn)一(yī)则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造(zào)成重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法作出(chū)不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行(xíng)网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络(luò)安全审左右结构相同的字有哪些，左右结构相同的字大全查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)左右结构相同的字有哪些，左右结构相同的字大全存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会(huì)更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 左右结构相同的字有哪些，左右结构相同的字大全