大家(jiā)好(hǎo)，来看一则(zé)突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设(shè)施的(de)运营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产品网压线扣几分罚款多少的，压线扣多少分？络安全问题(tí)危害国(guó)家关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品压线扣几分罚款多少的，压线扣多少分？(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储器(qì)的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设备(bèi)国(guó)产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入压线扣几分罚款多少的，压线扣多少分？增长。

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