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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存(cún)储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一，2022年(nián)收入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加(jiā)一山放过一山拦全诗原版，一山放过一山拦全诗是什么诗工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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