大家(jiā)好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美(měi)光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售的(de)产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全(quán苏三起解的故事，苏三起解的故事简介)法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列(liè)江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆苏三起解的故事，苏三起解的故事简介供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在(zài)中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储(chǔ)业苏三起解的故事，苏三起解的故事简介务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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