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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信大使相当于什么级别的干部 大使的级别是部级吗办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过(guò)美(měi)光(guāng)等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了(le)长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导(dǎo)大使相当于什么级别的干部 大使的级别是部级吗致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益。大使相当于什么级别的干部 大使的级别是部级吗存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的(de)孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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