大家好，来看一(yī)则(zé)突(tū)发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络(luò)安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查(chá)的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公(gōng)司(sī)产品。硝酸银的相对原子质量是多少整数，硝酸银的相对原子p>

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安(ān)全(quán)的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律硝酸银的相对原子质量是多少整数，硝酸银的相对原子法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共(gòng)和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合(hé)约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购(gòu)国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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