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刘备文学是什么意思,刘备文学啥意思

刘备文学是什么意思,刘备文学啥意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一则(zé)突发消息。

  美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

  据网信办消息(xī),日前,网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)了网络安(ān)全审(shěn)查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患,对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn),影响我国国家安全。为此,网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法(fǎ)规,我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

  此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安全审查,目(mù)的是防(fáng)范产品网络(luò)安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施安(ān)全,是维护(hù)国(guó)家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放(fàng),只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求,欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

  半(bàn)导(dǎo)体突发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国(guó)网信网发文称,为保障(zhàng)关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)供应链安全,防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风险,维护国家安(ān)全,依据《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)国家(jiā)安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》,网络安全(quán)审查(chá)办公室刘备文学是什么意思,刘备文学啥意思按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法》,对美光公(gōng)司(Micron)在华(huá)销售的(de)产品实施网络安全审查(chá)。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停止采购!

  美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头,也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之(zhī)一,2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57%降至2022年(nián)约11%。根据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份额(é)约为(wèi) 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM (内存)市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商。

  美光在江波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降(jiàng),至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

  公告(gào)显示(shì), 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商,采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下刘备文学是什么意思,刘备文学啥意思游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì),江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约,确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性,巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势,公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作(zuò)。

  有券商此前(qián)就分析,如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到(dào)限制,或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士,国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品

  分析称,长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤,同时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻到 60:1的深(shēn)孔,未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽,催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露,薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为(wèi)75%。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单,设备国产化进程加速,看(kàn)好拓荆科(kē)技(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以(yǐ)及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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