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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的(de)运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家(jiā)安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Mark霍元甲的师傅是谁，李小龙的师父是谁啊it）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商(霍元甲的师傅是谁，李小龙的师父是谁啊shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游(yóu)市(shì)场的(de)供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Fla霍元甲的师傅是谁，李小龙的师父是谁啊sh现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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