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女生拉黑就是极度讨厌吗,拉黑多久不联系就是彻底结束

女生拉黑就是极度讨厌吗,拉黑多久不联系就是彻底结束 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好(hǎo),来看一则突发消(xiāo)息。

  美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查

  据网(wǎng)信办消(xiāo)息,日(rì)前,网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

  审查发现,美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患,对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险,影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此,网络(luò)安(ān)全(quán)审查女生拉黑就是极度讨厌吗,拉黑多久不联系就是彻底结束办公室(shì)依法作出不予通过(guò)网络(luò)安(ān)全(quán)审查的(de)结(jié)论。按(àn)照《网络(luò)安(ān)全(quán)法》等法(fǎ)律法规,我国内(nèi)关键信(xìn)息基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

  此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络(luò)安全审查,目的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危(wēi)害(hài)国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全(quán),是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对(duì)外(wài)开放(fàng),只要遵守中(zhōng)国法律法规要求,欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

  半导体突(tū)发!中国出手:停(tíng)止采购!

  3月(yuè)31日,中国(guó)网信网发(fā)文称,为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全,防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险,维护(hù)国(guó)家安全,依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》,网络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

  半导体突发!中国(guó)出手:停(tíng)止采购(gòu)!

  美光是美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu),也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一,2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约(yuē)11%。根据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

  美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降,至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

  公告(gào)显示, 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美(měi)女生拉黑就是极度讨厌吗,拉黑多久不联系就是彻底结束光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē),确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性,巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应优(yōu)势,公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

  有(yǒu)券商此前就(jiù)分析,如(rú)果美光在中国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到限(xiàn)制,或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代,2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的(de)加(jiā)工设备。3D 女生拉黑就是极度讨厌吗,拉黑多久不联系就是彻底结束NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu),同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60:1的(de)深孔,未来可能会更深的孔或者沟槽,催(cuī)生更(gèng)多设(shè)备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露,薄膜(mó)沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75%。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单,设备(bèi)国(guó)产化进程加速,看好拓荆科技(jì)(薄膜(mó)沉积)等相(xiāng)关公(gōng)司份额(é)提升,以及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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