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　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大错一个题就往阴里装一支笔存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

错一个题就往阴里装一支笔　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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