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中国的国粹有哪些

中国的国粹有哪些 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发(fā)消(xiāo)息(xī)。

  美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

  据网信办消息(xī),日前,网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

  审查发现,美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患,对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险(xiǎn),影响(xiǎng)我国国家安全。为此,网络安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规(guī),我国(guó)内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

  此(cǐ)次对美(měi)光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查(chá),目(mù)的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施安全,是维护(hù)国家安(ān)全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放,只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求,欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

  半导(dǎo)体突发!中国出手(shǒu):停止采购!

  3月31日(rì),中国网信网发文称,为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全,防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险,维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全,依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》,网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu),也(yě)是全(quán)球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一(yī),2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57%降至(zhì)2022年(nián)约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM (内存(cún))市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

  美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著下降,至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

  公告显(xiǎn)示(shì), 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商,采购约(yuē)31亿元,占(zhàn)比(bǐ)33.52%;2022年,江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示,江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约,确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性,巩固公司在中国的国粹有哪些下游市场的(de)供应优势,公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

  有券商此前就(jiù)分(fēn)析,如果美(měi)光在中国区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制(zhì),或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士,国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤,同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽,催生更多设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披(pī)露(lù),薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计(jì)为75%。自长江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制名单,设备国产化进程加速,看好(hǎo)拓荆科技(薄膜沉积中国的国粹有哪些)等相关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提升,以及存储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较高的华海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清(qīng)洗(xǐ))等收入增长。

 

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