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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办(中国有多少万兵力，中国有多少万兵力人数bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作出(chū)不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家(jiā)安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)供应链安(ān)全(quán)，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公(gōng)司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，中国有多少万兵力，中国有多少万兵力人数ong>国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会(huì)更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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