大家好，来看一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安全(quán)审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络(luò)安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施(shī)旁站巡视平行检验什么意思，平行检验包括哪些内容安全(quán)，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％旁站巡视平行检验旁站巡视平行检验什么意思，平行检验包括哪些内容什么意思，平行检验包括哪些内容。根据(jù)市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第(dì)三(sān)大(dà)供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数(shù)据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国产化(huà)进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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