大家好，来看(kàn)一则突(tū)发(fā)消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安(ān)全审需要和须要意思的区别简单理解，必须与必需的区别通俗易懂查办(bàn)公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国(guó)家(jiā)安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安(ān)全(quán)风险，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美(měi)光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链需要和须要意思的区别简单理解，必须与必需的区别通俗易懂上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期(qī)合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产(c需要和须要意思的区别简单理解，必须与必需的区别通俗易懂hǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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