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　　美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造(zào)成重大安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称(chēng)，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gō先中间后两边的字有哪些 先外后内的字有哪些ng)司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第先中间后两边的字有哪些 先外后内的字有哪些一大、第二大(dà)和第(dì)三(sān)大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对先中间后两边的字有哪些 先外后内的字有哪些(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或(huò)者沟(gōu)槽(cáo)，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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