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　　美光公司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在(zài)较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络(luò不是省油的灯是什么意思，没有一个省油的灯是什么意思)安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关键信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

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　　美光(guāng)是(shì)美国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供(gō不是省油的灯是什么意思，没有一个省油的灯是什么意思ng)应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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