大家好(hǎo)，来看(kàn)一则(zé)突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供(gōng1什么意思网络用语女生，211什么意思网络用语)应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按(àn)照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是(shì)美国的(de)存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大(dà)供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司在下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公(gōng)司份(fèn)额(é)提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务(wù)占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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