泡泡面膜泡泡越多越脏吗，冒泡面膜是不是泡越多脸越脏

　　大家好，来(lái)看(kàn)一则(zé)突发消息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造(zào)成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网泡泡面膜泡泡越多越脏吗，冒泡面膜是不是泡越多脸越脏(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯片(piàn)行业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别(泡泡面膜泡泡越多越脏吗，冒泡面膜是不是泡越多脸越脏bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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