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　　美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等崤什么时候读yao佳肴，崤什么时候读法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施(shī)的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自中国(guó)市(shì)场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(sh崤什么时候读yao佳肴，崤什么时候读ì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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