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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查(chá)

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)产品进行了(le)网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全(quán)风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要(yào)措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开(kāi)放，只要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(公杂费包括哪些费用，公杂费包括哪些日用品chǔ)等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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