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电表可以调快慢吗 电表房东能做手脚吗

电表可以调快慢吗 电表房东能做手脚吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突(tū)发消息。

  美(měi)光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

  据网信办(bàn)消(xiāo)息,日前,网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审查。

  审查(chá)发现,美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患,对(duì)我国关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大安全风险,影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家(jiā)安全。为(wèi)此,网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī),我国内关键信息基础设施(shī)的(de)运营者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

  此次对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审查(chá),目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全,是(shì)维护国家安(ān)全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng),只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要求(qiú),欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半(bàn)导体突发!中国出(chū)手:停止采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信(xìn)网(wǎng)发文称,为保障关(guān)键信息基础设施供应链安(ān)全,防范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险,维护国家安全(quán),依据(jù)《中(zhōng)华人(rén)民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华(huá)人(rén)民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》,网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)办法》,对美光公(gōng)司(sī)(Micron)在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全审查(chá)。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停止采购!

  美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头,也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一(yī),2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据市(shì)场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额约为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公(gōng)司中,江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

  美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降(jiàng),至少已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商(shāng),采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应(yīng)商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业(yè)链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示,江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约,确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性,巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势,公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作。

  有券(quàn)商此前(qián)就分析,如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制,或将(jiāng)导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士,国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产(chǎn)品(pǐn)

  分析称,长存、长鑫的上电表可以调快慢吗 电表房东能做手脚吗(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的(de)结(jié)构转变(biàn电表可以调快慢吗 电表房东能做手脚吗)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤,同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60:1的深孔(kǒng),未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽,催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露,薄膜(mó)沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75%。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单,设备国产化(huà)进程(chéng)加速,看好拓(tuò)荆科技(薄膜沉积)等(děng)相关(guān)公(gōng)司(sī)份额提升(shēng),以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的华(huá)海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等(děng)收入增长。

 

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