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我想说世间万物一切都不及你是什么歌,满天星辰不及你歌词

我想说世间万物一切都不及你是什么歌,满天星辰不及你歌词 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突(tū)发消息(xī)。

  美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

  据网信(xìn)办消(xiāo)息,日前,网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进(jìn)行了(le)网(wǎng)络安全审查。

  审(shěn)查发现,美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患,对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险,影响我国国家安全。为(wèi)此,网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规,我国内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。

  此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全审查,目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全(quán),是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开(kāi)放,只要遵守(shǒu)中国法律法规要求,欢迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停止采购!

  3月3我想说世间万物一切都不及你是什么歌,满天星辰不及你歌词1日,中国网信网(wǎng)发文称(chēng),为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链安全(quán),防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险,维护(hù)国家安(ān)全,依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》,网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》,对美光(guāng)公司(Micron)在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

  半导(dǎo)体突发(fā)!中国出(chū)手:停止采(cǎi)购!

  美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头,也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一,2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市(shì)场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM (内存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等(děng)公司(sī)披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经(jīng)显著下降,至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商,采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约,确保存(cún)储晶圆供应的稳定性,巩固公司在下游市场的供应优势,公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

  有券(quàn)商此前就分析(xī),如(rú)果美光(guāng)在中(我想说世间万物一切都不及你是什么歌,满天星辰不及你歌词zhōng)国区销售受到限制,或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要(yào)经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺步(bù)骤(zhòu),同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能(néng)会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽,催生更多(duō)设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京电子(zi)披露(lù)我想说世间万物一切都不及你是什么歌,满天星辰不及你歌词,薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合计为75%。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān),设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速,看好拓(tuò)荆科技(薄(báo)膜沉积)等相关(guān)公司份额(é)提升,以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的(de)华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入(rù)增长。

 

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