大家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造(zào)成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)的运营(yíng)者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美(mě鸭绒被好还是鹅绒被好，鹅绒被最大的缺点i)国的存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大鸭绒被好还是鹅绒被好，鹅绒被最大的缺点(dà)、第二大和(hé)第(dì)三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析(xī)，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器的生产(chǎ鸭绒被好还是鹅绒被好，鹅绒被最大的缺点n)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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