大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前(qián)，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公(gōng)司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信社会公益活动包括哪些，公益活动包括哪些方面网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、社会公益活动包括哪些，公益活动包括哪些方面SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和(hé)第三(sān)大(dà)供应商(shāng)采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了(le)长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公(gōng)司(sī)份额(é)提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù)增(zēng)长(zhǎng)。

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