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　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严(yán)重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè四字拟声词有哪些ABAB式，abcd四字拟声词有哪些)施的(de四字拟声词有哪些ABAB式，abcd四字拟声词有哪些)运营者应停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收(shōu)入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披四字拟声词有哪些ABAB式，abcd四字拟声词有哪些(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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