大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售的(de)产品未(wèi)通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市(shì)场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 202台湾swag是什么，swag是什么意思什么梗1年美光位列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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