大(dà)家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了(le)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人(日本人知道我们恨他们吗，日本认为中国强大吗rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施(shī)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　日本人知道我们恨他们吗，日本认为中国强大吗="半导体突发！中国出手：停止采购！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212521.png">

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长日本人知道我们恨他们吗，日本认为中国强大吗江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的(de)生产(chǎn)已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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